Diodes Inc N-Channel MOSFET, 11 A, 12 V, 3-Pin SOT-346 DMN1019USN-7
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Tip pachet
SOT-346
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.35V
Maximum Power Dissipation
1.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Lungime
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
50.6 nC @ 8 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.7mm
Inaltime
1.3mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 360,00
€ 0,12 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 428,40
€ 0,143 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 360,00
€ 0,12 Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 428,40
€ 0,143 Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Tip pachet
SOT-346
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.35V
Maximum Power Dissipation
1.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Lungime
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
50.6 nC @ 8 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Latime
1.7mm
Inaltime
1.3mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse