Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 9.3 A, 9.6 A, 35 V, 3-Pin DPAK DMG4511SK4-13
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
9.3 A, 9.6 A
Maximum Drain Source Voltage
35 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
8.9 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Latime
6.2mm
Lungime
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.7 nC @ 10 V, 19.2 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
2.39mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 800,00
€ 0,32 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 952,00
€ 0,381 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
€ 800,00
€ 0,32 Buc. (Pe o rola de 2500) (fara TVA)
€ 952,00
€ 0,381 Buc. (Pe o rola de 2500) (cu TVA)
2500
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
9.3 A, 9.6 A
Maximum Drain Source Voltage
35 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
65 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
8.9 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
2
Latime
6.2mm
Lungime
6.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
18.7 nC @ 10 V, 19.2 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Inaltime
2.39mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse