Vishay Dual P-Channel MOSFET, 6.5 A, 40 V, 8-Pin SOIC SI4909DY-T1-GE3
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
34 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
3.2 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4mm
Number of Elements per Chip
2
Lungime
5mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
41.5 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.55mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 76,00
€ 0,76 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 91,96
€ 0,92 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
100
€ 76,00
€ 0,76 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 91,96
€ 0,92 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
100
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 100 - 180 | € 0,76 | € 15,20 |
| 200 - 480 | € 0,64 | € 12,80 |
| 500 - 980 | € 0,59 | € 11,80 |
| 1000+ | € 0,56 | € 11,20 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
6.5 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Tip pachet
SOIC
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
34 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
3.2 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4mm
Number of Elements per Chip
2
Lungime
5mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
41.5 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.55mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse