Dual N-Channel MOSFET, 1.3 A, 20 V, 6-Pin SOT-363 Vishay SI1922EDH-T1-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-363
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
263 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.6 nC @ 8 V
Latime
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Inaltime
1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,36
Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
€ 0,428
Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)
Standard
50
€ 0,36
Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
€ 0,428
Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)
Standard
50
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,36 | € 18,00 |
| 500 - 1200 | € 0,26 | € 13,00 |
| 1250 - 2450 | € 0,22 | € 11,00 |
| 2500 - 4950 | € 0,20 | € 10,00 |
| 5000+ | € 0,18 | € 9,00 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-363
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
263 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.6 nC @ 8 V
Latime
1.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Inaltime
1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse