N-Channel MOSFET, 20 A, 500 V, 3-Pin TO-247AC Vishay IRFP460BPBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serie
D Series
Tip pachet
TO-247AC
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
278 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Latime
5.31mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
20.82mm
Detalii produs
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 3,44
€ 3,44 Buc. (fara TVA)
€ 4,09
€ 4,09 Buc. (cu TVA)
Standard
1
€ 3,44
€ 3,44 Buc. (fara TVA)
€ 4,09
€ 4,09 Buc. (cu TVA)
Standard
1
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 3,44 |
| 10 - 49 | € 3,32 |
| 50 - 99 | € 3,19 |
| 100 - 249 | € 3,04 |
| 250+ | € 2,87 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Serie
D Series
Tip pachet
TO-247AC
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
250 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
278 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
85 nC @ 10 V
Latime
5.31mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
20.82mm
Detalii produs
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse