Texas Instruments N-Channel MOSFET, 73 A, 30 V, 8-Pin VSONP CSD17307Q5A
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
73 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
NexFET
Tip pachet
VSONP
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
17.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Latime
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 6,50
€ 0,65 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 7,74
€ 0,774 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
10
€ 6,50
€ 0,65 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 7,74
€ 0,774 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
10
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
73 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Serie
NexFET
Tip pachet
VSONP
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
17.3 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Latime
5mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Inaltime
1.1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse