STMicroelectronics DeepGate, STripFET N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STP240N10F7
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
DeepGate, STripFET
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
15.75mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 8,40
€ 4,20 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 10,16
€ 5,082 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Standard
2
€ 8,40
€ 4,20 Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 10,16
€ 5,082 Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Standard
2
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 4,20 | € 8,40 |
| 10 - 18 | € 4,02 | € 8,04 |
| 20 - 48 | € 3,89 | € 7,78 |
| 50 - 98 | € 3,74 | € 7,48 |
| 100+ | € 3,61 | € 7,22 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Serie
DeepGate, STripFET
Tip pachet
TO-220
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
4.6mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Inaltime
15.75mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse