N-Channel MOSFET, 110 A, 100 V, 3-Pin TO-220 STMicroelectronics STP240N10F7
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
TO-220
Serie
DeepGate, STripFET
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Latime
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Inaltime
15.75mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 132,00
€ 2,64 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 157,08
€ 3,142 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 132,00
€ 2,64 Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 157,08
€ 3,142 Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
110 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
TO-220
Serie
DeepGate, STripFET
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Latime
4.6mm
Number of Elements per Chip
1
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
160 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Inaltime
15.75mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse