N-Channel MOSFET, 13 A, 650 V, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB18N60M2
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
MDmesh M2
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Latime
9.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Inaltime
4.6mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 11,35
€ 2,27 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 13,51
€ 2,701 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
€ 11,35
€ 2,27 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 13,51
€ 2,701 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
Standard
5
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,27 | € 11,35 |
| 25 - 45 | € 2,14 | € 10,70 |
| 50 - 120 | € 1,90 | € 9,50 |
| 125 - 245 | € 1,70 | € 8,50 |
| 250+ | € 1,60 | € 8,00 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Serie
MDmesh M2
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Latime
9.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
21.5 nC @ 10 V
Inaltime
4.6mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Detalii produs
N-channel MDmesh™ M2 Series, STMicroelectronics
A range of high-voltage power MOSFETs from STMicroelecronics. With their low gate charge and excellent output capacitance characteristics, the MDmesh M2 series are perfect for use in resonant-type switching supplies (LLC converters).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse