N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB100N6F7

Nr. stoc RS: 906-4668Producator: STMicroelectronicsCod de producator: STB100N6F7
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

STripFET F7

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

5.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

12.6 nC @ 10 V

Latime

9.35mm

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

4.6mm

Detalii produs

N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics

The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 8,95

€ 1,79 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 10,65

€ 2,13 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB100N6F7
Selectati tipul de ambalaj

€ 8,95

€ 1,79 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 10,65

€ 2,13 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 100 A, 60 V, 3-Pin D2PAK STMicroelectronics STB100N6F7
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Cumpara in pachete mari

CantitatePret unitarPer Pachet
5 - 5€ 1,79€ 8,95
10 - 95€ 1,50€ 7,50
100 - 495€ 1,11€ 5,55
500+€ 0,93€ 4,65

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Serie

STripFET F7

Tip pachet

D2PAK (TO-263)

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

5.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

12.6 nC @ 10 V

Latime

9.35mm

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Inaltime

4.6mm

Detalii produs

N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics

The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe