onsemi Dual N/P-Channel MOSFET, 1.3 A, 8 V, 6-Pin SOT-363 NTJD1155LT1G
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
8 V
Tip pachet
SOT-363
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
320 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
N+P Loadswitch
Maximum Gate Source Voltage
+8 V
Latime
1.35mm
Transistor Material
Si
Lungime
2.2mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
2
Inaltime
1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 6,20
€ 0,31 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 7,38
€ 0,369 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
20
€ 6,20
€ 0,31 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 7,38
€ 0,369 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
20
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
8 V
Tip pachet
SOT-363
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
320 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
400 mW
Transistor Configuration
N+P Loadswitch
Maximum Gate Source Voltage
+8 V
Latime
1.35mm
Transistor Material
Si
Lungime
2.2mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
2
Inaltime
1mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channel’s into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semi’s trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse