Nexperia N-Channel MOSFET, 310 mA, 60 V, 3-Pin SOT-323 2N7002PW,115
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
310 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-323
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
260 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 2.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Latime
1.35mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1mm
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 12,00
€ 0,06 Buc. (Intr-un pachet de 200) (fara TVA)
€ 14,28
€ 0,071 Buc. (Intr-un pachet de 200) (cu TVA)
Standard
200
€ 12,00
€ 0,06 Buc. (Intr-un pachet de 200) (fara TVA)
€ 14,28
€ 0,071 Buc. (Intr-un pachet de 200) (cu TVA)
Standard
200
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
310 mA
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
SOT-323
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.6 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Maximum Power Dissipation
260 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
0.6 nC @ 2.5 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Latime
1.35mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
1mm
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse