IXYS Linear L2 N-Channel MOSFET, 178 A, 100 V, 4-Pin SOT-227 IXTN200N10L2
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
178 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
SOT-227
Serie
Linear L2
Timp montare
Screw Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
11 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
830 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
25.07mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
38.23mm
Typical Gate Charge @ Vgs
540 nC @ 10 V
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Inaltime
9.6mm
Tara de origine
Philippines
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear Series
N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 494,20
€ 49,42 Each (In a Tube of 10) (fara TVA)
€ 588,10
€ 58,81 Each (In a Tube of 10) (cu TVA)
10
€ 494,20
€ 49,42 Each (In a Tube of 10) (fara TVA)
€ 588,10
€ 58,81 Each (In a Tube of 10) (cu TVA)
10
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Incercati din nou mai tarziu
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
IXYSChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
178 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
SOT-227
Serie
Linear L2
Timp montare
Screw Mount
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
11 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
830 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
25.07mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
38.23mm
Typical Gate Charge @ Vgs
540 nC @ 10 V
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.4V
Inaltime
9.6mm
Tara de origine
Philippines
Detalii produs
N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear Series
N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse