N-Channel MOSFET Transistor, 195 A, 295 A, 60 V, 3-Pin TO-220AB International Rectifier IRFB7530PBF
Documente tehnice
Specificatii
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
195 A, 295 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
StrongIRFET
Tip pachet
TO-220AB
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
294 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
274 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
10.67mm
Latime
4.83mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
16.51mm
Tara de origine
Mexico
Detalii produs
StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Channel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
195 A, 295 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
StrongIRFET
Tip pachet
TO-220AB
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
294 W
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
274 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Lungime
10.67mm
Latime
4.83mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
16.51mm
Tara de origine
Mexico
Detalii produs
StrongIRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineon's StrongIRFET family is optimized for low RDS(on) and high-current capability. This portfolio offers improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness ideal for industrial low frequency applications including motor drives, power tools, inverters and battery management where performance and robustness are essential.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse