N-Channel MOSFET Transistor, 48 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IRFZ44ESPBF

Nr. stoc RS: 541-0519Producator: InfineonCod de producator: IRFZ44ESPBF
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

48 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

D2PAK

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

23 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

110 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

60 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.67mm

Latime

9.65mm

Transistor Material

Si

Serie

HEXFET

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

4.83mm

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET Transistor, 48 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IRFZ44ESPBF

P.O.A.

N-Channel MOSFET Transistor, 48 A, 60 V, 3-Pin D2PAK Infineon IRFZ44ESPBF
Informatii indisponibile despre stoc

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

48 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

D2PAK

Montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

23 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

110 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

60 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Lungime

10.67mm

Latime

9.65mm

Transistor Material

Si

Serie

HEXFET

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

4.83mm

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe