N-Channel MOSFET, 2.8 A, 60 V, 3-Pin SOT-223 Diodes Inc ZXMS6006SGTA
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
IntelliFET
Tip pachet
SOT-223
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+125 °C
Lungime
6.55mm
Latime
3.55mm
Transistor Material
Si
Frecventa minima de auto-rezonanta
-40 °C
Inaltime
1.65mm
Tara de origine
Germany
Detalii produs
IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc
IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 710,00
€ 0,71 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 844,90
€ 0,845 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
€ 710,00
€ 0,71 Buc. (Pe o rola de 1000) (fara TVA)
€ 844,90
€ 0,845 Buc. (Pe o rola de 1000) (cu TVA)
1000
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.8 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Serie
IntelliFET
Tip pachet
SOT-223
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
1.6 W
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+125 °C
Lungime
6.55mm
Latime
3.55mm
Transistor Material
Si
Frecventa minima de auto-rezonanta
-40 °C
Inaltime
1.65mm
Tara de origine
Germany
Detalii produs
IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc
IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse