N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16413Q5A

Nr. stoc RS: 827-4798Producator: Texas InstrumentsCod de producator: CSD16413Q5A
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Tip pachet

SON

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

5.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

3.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +16 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

9 nC @ 4.5 V

Latime

5mm

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.1mm

Serie

NexFET

Detalii produs

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16413Q5A
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V, 8-Pin SON Texas Instruments CSD16413Q5A
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

25 V

Tip pachet

SON

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

5.6 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1.9V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

3.1 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +16 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5.8mm

Typical Gate Charge @ Vgs

9 nC @ 4.5 V

Latime

5mm

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

1.1mm

Serie

NexFET

Detalii produs

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe