STMicroelectronics N-Channel MOSFET Transistor, 25 A, 600 V, 5-Pin PowerFLAT 8 x 8 HV STL45N60DM6

Nr. stoc RS: 192-4899PProducator: STMicroelectronicsCod de producator: STL45N60DM6
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Tip pachet

PowerFLAT 8 x 8 HV

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

5

Maximum Drain Source Resistance

110 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.25V

Maximum Power Dissipation

160 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±25 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

8.1mm

Lungime

8.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

44 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Inaltime

0.9mm

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 60,20

€ 6,02 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 71,64

€ 7,164 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET Transistor, 25 A, 600 V, 5-Pin PowerFLAT 8 x 8 HV STL45N60DM6
Selectati tipul de ambalaj

€ 60,20

€ 6,02 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)

€ 71,64

€ 7,164 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)

STMicroelectronics N-Channel MOSFET Transistor, 25 A, 600 V, 5-Pin PowerFLAT 8 x 8 HV STL45N60DM6
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

CantitatePret unitarPer Rola
10 - 18€ 6,02€ 12,04
20 - 48€ 5,37€ 10,74
50 - 98€ 4,78€ 9,56
100+€ 4,50€ 9,00

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

25 A

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Tip pachet

PowerFLAT 8 x 8 HV

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

5

Maximum Drain Source Resistance

110 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.75V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.25V

Maximum Power Dissipation

160 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±25 V

Number of Elements per Chip

1

Latime

8.1mm

Lungime

8.1mm

Typical Gate Charge @ Vgs

44 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.5V

Inaltime

0.9mm

Tara de origine

China

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe