onsemi J113 N-Channel JFET, Idss min. 2mA, 3-Pin TO-92
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 2mA
Maximum Gate Source Voltage
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
100 Ω
Timp montare
Through Hole
Tip pachet
TO-92
Numar pini
3
Drain Gate On-Capacitance
28pF
Source Gate On-Capacitance
28pF
Dimensiuni
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
5.2mm
Inaltime
5.33mm
Latime
4.19mm
Detalii produs
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,31
Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
€ 0,369
Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)
Standard
50
€ 0,31
Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
€ 0,369
Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)
Standard
50
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,31 | € 15,50 |
| 500+ | € 0,25 | € 12,50 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 2mA
Maximum Gate Source Voltage
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
100 Ω
Timp montare
Through Hole
Tip pachet
TO-92
Numar pini
3
Drain Gate On-Capacitance
28pF
Source Gate On-Capacitance
28pF
Dimensiuni
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
5.2mm
Inaltime
5.33mm
Latime
4.19mm
Detalii produs
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse