onsemi J112 N-Channel JFET, Idss min. 5mA, 3-Pin TO-92

Nr. stoc RS: 124-1385Producator: onsemiCod de producator: J112
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

min. 5mA

Maximum Gate Source Voltage

-35 V

Maximum Drain Gate Voltage

35V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

50 Ω

Montare

Through Hole

Tip pachet

TO-92

Numar pini

3

Drain Gate On-Capacitance

28pF

Source Gate On-Capacitance

28pF

Dimensiuni

5.2 x 4.19 x 5.33mm

Inaltime

5.33mm

Latime

4.19mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5.2mm

Detalii produs

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 0,13

Buc. (Intr-o punga de 1000) (fara TVA)

€ 0,155

Buc. (Intr-o punga de 1000) (cu TVA)

onsemi J112 N-Channel JFET, Idss min. 5mA, 3-Pin TO-92

€ 0,13

Buc. (Intr-o punga de 1000) (fara TVA)

€ 0,155

Buc. (Intr-o punga de 1000) (cu TVA)

onsemi J112 N-Channel JFET, Idss min. 5mA, 3-Pin TO-92
Informatii indisponibile despre stoc

Cumpara in pachete mari

CantitatePret unitarPer Punga
1000 - 2000€ 0,13€ 130,00
3000+€ 0,10€ 100,00

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

onsemi

Channel Type

N

Idss Drain-Source Cut-off Current

min. 5mA

Maximum Gate Source Voltage

-35 V

Maximum Drain Gate Voltage

35V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Maximum Drain Source Resistance

50 Ω

Montare

Through Hole

Tip pachet

TO-92

Numar pini

3

Drain Gate On-Capacitance

28pF

Source Gate On-Capacitance

28pF

Dimensiuni

5.2 x 4.19 x 5.33mm

Inaltime

5.33mm

Latime

4.19mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

5.2mm

Detalii produs

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe