onsemi J109 N-Channel JFET, Idss min. 40mA, 3-Pin TO-92
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 40mA
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
12 Ω
Timp montare
Through Hole
Tip pachet
TO-92
Numar pini
3
Drain Gate On-Capacitance
85pF
Source Gate On-Capacitance
85pF
Dimensiuni
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
4.58mm
Inaltime
4.58mm
Latime
3.86mm
Detalii produs
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,36
Each (Supplied in a Bag) (fara TVA)
€ 0,428
Each (Supplied in a Bag) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Punga)
100
€ 0,36
Each (Supplied in a Bag) (fara TVA)
€ 0,428
Each (Supplied in a Bag) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Punga)
100
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Punga |
|---|---|---|
| 100 - 225 | € 0,36 | € 9,00 |
| 250 - 475 | € 0,31 | € 7,75 |
| 500+ | € 0,27 | € 6,75 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
onsemiChannel Type
N
Idss Drain-Source Cut-off Current
min. 40mA
Maximum Gate Source Voltage
-25 V
Maximum Drain Gate Voltage
25V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Maximum Drain Source Resistance
12 Ω
Timp montare
Through Hole
Tip pachet
TO-92
Numar pini
3
Drain Gate On-Capacitance
85pF
Source Gate On-Capacitance
85pF
Dimensiuni
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
4.58mm
Inaltime
4.58mm
Latime
3.86mm
Detalii produs
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse