onsemi FGL35N120FTDTU IGBT, 70 A 1200 V, 3-Pin TO-264, Through Hole
Documente tehnice
Specificatii
Channel Type
N
Numar pini
3
Switching Speed
1MHz
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Maximum Gate Emitter Voltage
±25V
Transistor Configuration
Single
Timp montare
Through Hole
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Maximum Continuous Collector Current
70 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Tip pachet
TO-264
Maximum Power Dissipation
368 W
Marca
ON SemiconductorDimensiuni
20.2 x 5.2 x 26.4mm
Detalii produs
TAE-NFN telephone sockets
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Channel Type
N
Numar pini
3
Switching Speed
1MHz
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Maximum Gate Emitter Voltage
±25V
Transistor Configuration
Single
Timp montare
Through Hole
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Maximum Continuous Collector Current
70 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Tip pachet
TO-264
Maximum Power Dissipation
368 W
Marca
ON SemiconductorDimensiuni
20.2 x 5.2 x 26.4mm
Detalii produs
TAE-NFN telephone sockets
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse