P-Channel MOSFET, 100 mA, 30 V, 3-Pin CP onsemi 3LP01C-TB-E

Nr. stoc RS: 145-3932Producator: ON SemiconductorCod de producator: 3LP01C-TB-E
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Channel Type

P

Numar pini

3

Transistor Configuration

Single

Timp montare

Surface Mount

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Maximum Gate Threshold Voltage

1.4V

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

1.5mm

Inaltime

1.1mm

Lungime

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.43 nC @ 10 V

Maximum Power Dissipation

250 mW

Maximum Continuous Drain Current

100 mA

Tip pachet

CP

Maximum Drain Source Resistance

54 Ω

Tara de origine

China

Detalii produs

Bodo Ehmann Aluminium 4 Way Type F German Schuko Socket Strip with 2 USB Outlets

Bodo Ehmann NPI

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 100 mA, 30 V, 3-Pin CP onsemi 3LP01C-TB-E

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 100 mA, 30 V, 3-Pin CP onsemi 3LP01C-TB-E
Informatii indisponibile despre stoc

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

Channel Type

P

Numar pini

3

Transistor Configuration

Single

Timp montare

Surface Mount

Maximum Gate Source Voltage

-10 V, +10 V

Maximum Gate Threshold Voltage

1.4V

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Latime

1.5mm

Inaltime

1.1mm

Lungime

2.9mm

Typical Gate Charge @ Vgs

1.43 nC @ 10 V

Maximum Power Dissipation

250 mW

Maximum Continuous Drain Current

100 mA

Tip pachet

CP

Maximum Drain Source Resistance

54 Ω

Tara de origine

China

Detalii produs

Bodo Ehmann Aluminium 4 Way Type F German Schuko Socket Strip with 2 USB Outlets

Bodo Ehmann NPI

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe