Nexperia BSP51,115 NPN Darlington Transistor, 1 A 60 V HFE:1000, 3 + Tab-Pin SOT-223
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Tip pachet
SOT-223
Montare
Surface Mount
Numar pini
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.3 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.00005mA
Inaltime
1.7mm
Latime
3.7mm
Dimensiuni
6.7 x 3.7 x 1.7mm
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Temperatura minima de lucru
-65 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.7mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Darlington Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,20
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 0,238
Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
10
€ 0,20
Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 0,238
Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
10
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaTransistor Type
NPN
Maximum Continuous Collector Current
1 A
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Tip pachet
SOT-223
Montare
Surface Mount
Numar pini
3 + Tab
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Minimum DC Current Gain
1000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.9 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.3 V
Maximum Collector Cut-off Current
0.00005mA
Inaltime
1.7mm
Latime
3.7mm
Dimensiuni
6.7 x 3.7 x 1.7mm
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Temperatura minima de lucru
-65 °C
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.7mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Darlington Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse