N-Channel MOSFET, 300 mA, 55 V, 3-Pin SOT-323 Nexperia BSH121,135
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Tip pachet
SOT-323 (SC-70)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Latime
1.35mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1 nC @ 8 V
Inaltime
1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-65 °C
Tara de origine
Hong Kong
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 40V to 55V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
P.O.A.
10000
P.O.A.
10000
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Tip pachet
SOT-323 (SC-70)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Latime
1.35mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
2.2mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1 nC @ 8 V
Inaltime
1mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-65 °C
Tara de origine
Hong Kong
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 40V to 55V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse