Nexperia BCV46,215 Dual PNP Darlington Transistor, -500 mA 60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-23 (TO-236AB)
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
-500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
-10 V
Tip pachet
SOT-23 (TO-236AB)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
2
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
-80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1 V
Maximum Collector Cut-off Current
-100nA
Frecventa minima de auto-rezonanta
-65 °C
Maximum Power Dissipation
250 mW
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3mm
Inaltime
1mm
Latime
1.4mm
Dimensiuni
3 x 1.4 x 1mm
Detalii produs
Darlington Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 6,00
€ 0,06 Buc. (Intr-un pachet de 100) (fara TVA)
€ 7,14
€ 0,071 Buc. (Intr-un pachet de 100) (cu TVA)
Standard
100
€ 6,00
€ 0,06 Buc. (Intr-un pachet de 100) (fara TVA)
€ 7,14
€ 0,071 Buc. (Intr-un pachet de 100) (cu TVA)
Standard
100
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
NexperiaTransistor Type
PNP
Maximum Continuous Collector Current
-500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Maximum Emitter Base Voltage
-10 V
Tip pachet
SOT-23 (TO-236AB)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Transistor Configuration
Single
Number of Elements per Chip
2
Minimum DC Current Gain
2000
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-1.5 V
Maximum Collector Base Voltage
-80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-1 V
Maximum Collector Cut-off Current
-100nA
Frecventa minima de auto-rezonanta
-65 °C
Maximum Power Dissipation
250 mW
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3mm
Inaltime
1mm
Latime
1.4mm
Dimensiuni
3 x 1.4 x 1mm
Detalii produs
Darlington Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse