Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 30 A, 60 V, 3-Pin DPAK SPD30P06PGBTMA1

Nr. stoc RS: 898-6864Producator: InfineonCod de producator: SPD30P06P G
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Serie

SIPMOS®

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

75 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

32 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Latime

6.22mm

Transistor Material

Si

Forward Diode Voltage

1.7V

Inaltime

2.41mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe
Informatii despre stoc temporar indisponibile

€ 9,90

€ 0,99 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 11,78

€ 1,178 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 30 A, 60 V, 3-Pin DPAK SPD30P06PGBTMA1
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10€ 9,90
20€ 19,80
30€ 29,70
40€ 39,60
50€ 49,50
60€ 59,40
70€ 69,30
80€ 79,20
90€ 89,10
100€ 99,00
110€ 108,90
120€ 118,80
130€ 128,70
140€ 138,60
150€ 148,50

€ 9,90

€ 0,99 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 11,78

€ 1,178 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET, 30 A, 60 V, 3-Pin DPAK SPD30P06PGBTMA1
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Selectati tipul de ambalaj

Standard

Selectati tipul de ambalaj

Standard - each

Disponibil in multiplu de 10.

Productie -

Disponibil in multiplu de 10.

Recomandat pentru comenzi cu cantitati mari. Articolele sunt gata ambalate pentru a fi introduse in utilaje, permitandu-va sa imbunatatiti eficienta productiei.

10

Disponibil in multiplu de 10
10€ 9,90
20€ 19,80
30€ 29,70
40€ 39,60
50€ 49,50
60€ 59,40
70€ 69,30
80€ 79,20
90€ 89,10
100€ 99,00
110€ 108,90
120€ 118,80
130€ 128,70
140€ 138,60
150€ 148,50

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Incercati din nou mai tarziu

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Serie

SIPMOS®

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

75 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

32 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Number of Elements per Chip

1

Latime

6.22mm

Transistor Material

Si

Forward Diode Voltage

1.7V

Inaltime

2.41mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe