Fuji Electric 7MBR50VB-120-50 3 Phase Bridge IGBT Module, 50 A 1200 V, 24-Pin M712, Through Hole
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Fuji ElectricMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
280 W
Tip pachet
M712
Configuration
3 Phase Bridge
Montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
24
Transistor Configuration
3 Phase
Dimensiuni
122 x 62 x 17mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Detalii produs
IGBT Modules 7-Pack, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 83,39
€ 83,39 Buc. (fara TVA)
€ 99,23
€ 99,23 Buc. (cu TVA)
1
€ 83,39
€ 83,39 Buc. (fara TVA)
€ 99,23
€ 99,23 Buc. (cu TVA)
1
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
Fuji ElectricMaximum Continuous Collector Current
50 A
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Maximum Power Dissipation
280 W
Tip pachet
M712
Configuration
3 Phase Bridge
Montare
Through Hole
Channel Type
N
Numar pini
24
Transistor Configuration
3 Phase
Dimensiuni
122 x 62 x 17mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Detalii produs
IGBT Modules 7-Pack, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse