SiC N-Channel MOSFET, 11 A, 900 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0280090J
Documente tehnice
Specificatii
Marca
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Tip pachet
TO-263-7
Montare
Surface Mount
Numar pini
7
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, 18 V
Typical Gate Charge @ Vgs
9.5 nC @ 4/15V
Latime
9.12mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
SiC
Lungime
10.23mm
Inaltime
4.57mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
China
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 5,72
Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 6,807
Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
2
€ 5,72
Buc. (Intr-un pachet de 2) (fara TVA)
€ 6,807
Buc. (Intr-un pachet de 2) (cu TVA)
2
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 2 - 18 | € 5,72 | € 11,44 |
| 20+ | € 5,35 | € 10,70 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
900 V
Tip pachet
TO-263-7
Montare
Surface Mount
Numar pini
7
Maximum Drain Source Resistance
280 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
50 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, 18 V
Typical Gate Charge @ Vgs
9.5 nC @ 4/15V
Latime
9.12mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
SiC
Lungime
10.23mm
Inaltime
4.57mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Tara de origine
China
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse