SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0075120J

Nr. stoc RS: 192-3511Producator: WolfspeedCod de producator: C3M0075120J
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Tip pachet

TO-263-7

Montare

Surface Mount

Numar pini

7

Maximum Drain Source Resistance

75 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.8V

Maximum Power Dissipation

113.6 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, 19 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

SiC

Lungime

10.23mm

Latime

9.12mm

Number of Elements per Chip

1

Typical Gate Charge @ Vgs

48 nC @ 4/15V

Inaltime

4.57mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Tara de origine

China

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 16,53

Buc. (fara TVA)

€ 19,67

Buc. (cu TVA)

SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0075120J

€ 16,53

Buc. (fara TVA)

€ 19,67

Buc. (cu TVA)

SiC N-Channel MOSFET, 30 A, 1200 V, 7-Pin D2PAK Wolfspeed C3M0075120J
Informatii indisponibile despre stoc

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

1200 V

Tip pachet

TO-263-7

Montare

Surface Mount

Numar pini

7

Maximum Drain Source Resistance

75 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

3.6V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.8V

Maximum Power Dissipation

113.6 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-8 V, 19 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Transistor Material

SiC

Lungime

10.23mm

Latime

9.12mm

Number of Elements per Chip

1

Typical Gate Charge @ Vgs

48 nC @ 4/15V

Inaltime

4.57mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Tara de origine

China

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe