SiC N-Channel MOSFET, 63 A, 1200 V, 4-Pin TO-247-4 Wolfspeed C3M0032120K
Documente tehnice
Specificatii
Marca
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
63 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Tip pachet
TO-247-4
Montare
Through Hole
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
283 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, 19 V
Latime
5.21mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Transistor Material
SiC
Lungime
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
118 nC @ 4/15V
Inaltime
23.6mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-40 °C
Tara de origine
China
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 42,01
Buc. (fara TVA)
€ 49,99
Buc. (cu TVA)
1
€ 42,01
Buc. (fara TVA)
€ 49,99
Buc. (cu TVA)
1
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 42,01 |
| 10+ | € 39,82 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
63 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Tip pachet
TO-247-4
Montare
Through Hole
Numar pini
4
Maximum Drain Source Resistance
32 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.6V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.8V
Maximum Power Dissipation
283 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, 19 V
Latime
5.21mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Transistor Material
SiC
Lungime
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
118 nC @ 4/15V
Inaltime
23.6mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-40 °C
Tara de origine
China
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse