SiC N-Channel MOSFET, 19 A, 1200 V, 3-Pin TO-247 Wolfspeed C2M0160120D
Documente tehnice
Specificatii
Marca
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
196 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-5 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 20 V, 34 nC @ 5 V
Latime
5.21mm
Transistor Material
SiC
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
3.3V
Inaltime
21.1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 12,54
Buc. (fara TVA)
€ 14,92
Buc. (cu TVA)
1
€ 12,54
Buc. (fara TVA)
€ 14,92
Buc. (cu TVA)
1
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 4 | € 12,54 |
| 5 - 9 | € 11,40 |
| 10 - 29 | € 10,98 |
| 30 - 59 | € 10,61 |
| 60+ | € 10,24 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
WolfspeedChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
19 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Tip pachet
TO-247
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
196 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.4V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-5 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
16.13mm
Typical Gate Charge @ Vgs
34 nC @ 20 V, 34 nC @ 5 V
Latime
5.21mm
Transistor Material
SiC
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
3.3V
Inaltime
21.1mm
Tara de origine
China
Detalii produs
Wolfspeed Silicon Carbide Power MOSFETs
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency. These low-capacitance devices allow higher switching frequencies and have reduced cooling requirements improving overall system operating efficiency.
MOSFET Transistors, Wolfspeed
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse