Vishay VS-GA200SA60UP IGBT, 200 A 600 V, 4-Pin SOT-227, Panel Mount

Nr. stoc RS: 700-4425Producator: VishayCod de producator: VS-GA200SA60UP
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Maximum Continuous Collector Current

200 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Tip pachet

SOT-227

Timp montare

Panel Mount

Channel Type

N

Numar pini

4

Transistor Configuration

Single

Dimensiuni

38.3 x 25.7 x 12.3mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Detalii produs

IGBT Modules, Vishay

Vishay’s high-efficiency IGBT modules come with a choice of PT, NPT, and Trench IGBT technologies. The range includes single switches, inverters, choppers, half-bridges, or in custom configurations. These IGBT Modules are designed to be used as a main switching device in switch mode power supplies, uninterruptible power supplies, industrial welding, motor drives, and power factor correction systems.

Typical applications include boost and buck converters, forward and double forward converters, half bridges, full bridges (H-bridge), and three-phase bridges.

IGBT Modules, Vishay

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 46,66

Buc. (fara TVA)

€ 55,53

Buc. (cu TVA)

Vishay VS-GA200SA60UP IGBT, 200 A 600 V, 4-Pin SOT-227, Panel Mount
Selectati tipul de ambalaj

€ 46,66

Buc. (fara TVA)

€ 55,53

Buc. (cu TVA)

Vishay VS-GA200SA60UP IGBT, 200 A 600 V, 4-Pin SOT-227, Panel Mount
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Cumpara in pachete mari

CantitatePret unitar
1 - 4€ 46,66
5 - 9€ 40,69
10 - 24€ 36,07
25 - 49€ 32,78
50+€ 29,13

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Maximum Continuous Collector Current

200 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Tip pachet

SOT-227

Timp montare

Panel Mount

Channel Type

N

Numar pini

4

Transistor Configuration

Single

Dimensiuni

38.3 x 25.7 x 12.3mm

Frecventa minima de auto-rezonanta

-55 °C

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Detalii produs

IGBT Modules, Vishay

Vishay’s high-efficiency IGBT modules come with a choice of PT, NPT, and Trench IGBT technologies. The range includes single switches, inverters, choppers, half-bridges, or in custom configurations. These IGBT Modules are designed to be used as a main switching device in switch mode power supplies, uninterruptible power supplies, industrial welding, motor drives, and power factor correction systems.

Typical applications include boost and buck converters, forward and double forward converters, half bridges, full bridges (H-bridge), and three-phase bridges.

IGBT Modules, Vishay

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe