P-Channel MOSFET, 50 A, 60 V, 3-Pin DPAK Vishay SUD50P06-15-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
TO-252AA
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
-3V
Minimum Gate Threshold Voltage
-1V
Maximum Power Dissipation
113 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.22mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
2.38mm
Forward Diode Voltage
-1.6V
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 2,90
Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 3,451
Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
€ 2,90
Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)
€ 3,451
Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)
5
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,90 | € 14,50 |
| 50 - 120 | € 2,51 | € 12,55 |
| 125 - 245 | € 2,35 | € 11,75 |
| 250 - 495 | € 2,05 | € 10,25 |
| 500+ | € 1,90 | € 9,50 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Tip pachet
TO-252AA
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
28 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
-3V
Minimum Gate Threshold Voltage
-1V
Maximum Power Dissipation
113 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Latime
6.22mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
110 nC @ 10 V
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
2.38mm
Forward Diode Voltage
-1.6V
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse