Dual N-Channel MOSFET, 80 A, 143 A, 30 V, 6-Pin PowerPAIR 3 x 3FDC Vishay SiZF360DT-T1-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A, 143 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
PowerPAIR 3 x 3FDC
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
0.0019 Ω, 0.0026 Ω, 0.0045 Ω, 0.0075 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Number of Elements per Chip
2
Dimensiune celula
TrenchFET® Gen IV
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A, 143 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Tip pachet
PowerPAIR 3 x 3FDC
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
0.0019 Ω, 0.0026 Ω, 0.0045 Ω, 0.0075 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Number of Elements per Chip
2
Dimensiune celula
TrenchFET® Gen IV
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse