N-Channel MOSFET, 34.4 A, 200 V, 8-Pin SO Vishay SIR690DP-T1-RE3

Nr. stoc RS: 134-9729Producator: VishayCod de producator: SIR690DP-T1-RE3
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

34.4 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Tip pachet

SO

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

39 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

104 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

5.26mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

6.25mm

Typical Gate Charge @ Vgs

31.9 nC @ 10 V

Inaltime

1.12mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Detalii produs

N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 34.4 A, 200 V, 8-Pin SO Vishay SIR690DP-T1-RE3
Selectati tipul de ambalaj

P.O.A.

N-Channel MOSFET, 34.4 A, 200 V, 8-Pin SO Vishay SIR690DP-T1-RE3
Informatii indisponibile despre stoc
Selectati tipul de ambalaj

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

34.4 A

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Tip pachet

SO

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

39 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

104 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

5.26mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

6.25mm

Typical Gate Charge @ Vgs

31.9 nC @ 10 V

Inaltime

1.12mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.1V

Detalii produs

N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe