N-Channel MOSFET, 29 A, 150 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 Vishay SIR632DP-T1-RE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Tip pachet
PowerPAK SO-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
69.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5.26mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Inaltime
1.12mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Detalii produs
N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,85
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 1,012
Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 0,85
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 1,012
Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
29 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Tip pachet
PowerPAK SO-8
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
69.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
5.26mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.25mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 10 V
Inaltime
1.12mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Detalii produs
N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse