N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8DC Vishay SIDR638DP-T1-RE3

Nr. stoc RS: 200-6839Producator: VishayCod de producator: SIDR638DP-T1-RE3
brand-logo
Vezi toate produsele din Tranzistoare MOSFET

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Dimensiune celula

TrenchFET® Gen IV

Tip pachet

PowerPAK SO-8DC

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

0.00088 Ω, 0.00116 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3V

Number of Elements per Chip

1

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Informatii indisponibile despre stoc

Incercati din nou mai tarziu

Informatii indisponibile despre stoc

€ 1,73

Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)

€ 2,059

Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8DC Vishay SIDR638DP-T1-RE3

3000

Disponibil in multiplu de 3000
3000€ 5.190,00
6000€ 10.380,00
9000€ 15.570,00
12000€ 20.760,00
15000€ 25.950,00
18000€ 31.140,00
21000€ 36.330,00
24000€ 41.520,00
27000€ 46.710,00
30000€ 51.900,00
33000€ 57.090,00
36000€ 62.280,00
39000€ 67.470,00
42000€ 72.660,00
45000€ 77.850,00

€ 1,73

Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)

€ 2,059

Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 100 A, 40 V, 8-Pin PowerPAK SO-8DC Vishay SIDR638DP-T1-RE3
Informatii indisponibile despre stoc

3000

Disponibil in multiplu de 3000
3000€ 5.190,00
6000€ 10.380,00
9000€ 15.570,00
12000€ 20.760,00
15000€ 25.950,00
18000€ 31.140,00
21000€ 36.330,00
24000€ 41.520,00
27000€ 46.710,00
30000€ 51.900,00
33000€ 57.090,00
36000€ 62.280,00
39000€ 67.470,00
42000€ 72.660,00
45000€ 77.850,00

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Dimensiune celula

TrenchFET® Gen IV

Tip pachet

PowerPAK SO-8DC

Montare

Surface Mount

Numar pini

8

Maximum Drain Source Resistance

0.00088 Ω, 0.00116 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3V

Number of Elements per Chip

1

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe