P-Channel MOSFET, 18.3 A, 30 V, 8-Pin SO-8 Vishay Si4425FDY-T1-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
18.3 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Dimensiune celula
TrenchFET® Gen IV
Tip pachet
SO-8
Montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
0.016 Ω, 0.0095 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Number of Elements per Chip
1
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,32
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 0,381
Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 0,32
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 0,381
Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
18.3 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Dimensiune celula
TrenchFET® Gen IV
Tip pachet
SO-8
Montare
Surface Mount
Numar pini
8
Maximum Drain Source Resistance
0.016 Ω, 0.0095 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Number of Elements per Chip
1
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse