N-Channel MOSFET, 4.6 A, 80 V, 6-Pin SOT-23 Vishay SI3476DV-T1-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.6 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Tip pachet
SOT-23
Montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
126 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
3.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Lungime
3.1mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
1.7mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
4.9 nC @ 10 V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1mm
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,50
Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 0,595
Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
25
€ 0,50
Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 0,595
Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
25
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 25 - 225 | € 0,50 | € 12,50 |
| 250 - 600 | € 0,46 | € 11,50 |
| 625 - 1225 | € 0,41 | € 10,25 |
| 1250 - 2475 | € 0,39 | € 9,75 |
| 2500+ | € 0,36 | € 9,00 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4.6 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Tip pachet
SOT-23
Montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
126 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
3.6 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Lungime
3.1mm
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Latime
1.7mm
Number of Elements per Chip
1
Typical Gate Charge @ Vgs
4.9 nC @ 10 V
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1mm
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse