P-Channel MOSFET, 8 A, 12 V, 6-Pin TSOP-6 Vishay SI3473CDV-T1-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Tip pachet
TSOP-6
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
36 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
-1V
Minimum Gate Threshold Voltage
-0.4V
Maximum Power Dissipation
4.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
43 nC @ 10 V
Latime
1.7mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1mm
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,72
Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 0,857
Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
25
€ 0,72
Buc. (Intr-un pachet de 25) (fara TVA)
€ 0,857
Buc. (Intr-un pachet de 25) (cu TVA)
25
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 25 - 225 | € 0,72 | € 18,00 |
| 250 - 600 | € 0,66 | € 16,50 |
| 625 - 1225 | € 0,62 | € 15,50 |
| 1250 - 2475 | € 0,55 | € 13,75 |
| 2500+ | € 0,51 | € 12,75 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Tip pachet
TSOP-6
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
6
Maximum Drain Source Resistance
36 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
-1V
Minimum Gate Threshold Voltage
-0.4V
Maximum Power Dissipation
4.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Lungime
3.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
43 nC @ 10 V
Latime
1.7mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1mm
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse