N-Channel MOSFET, 5.9 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2374DS-T1-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.9 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.4 nC @ 10 V
Latime
1.4mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1.02mm
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,33
Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
€ 0,393
Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)
50
€ 0,33
Buc. (Intr-un pachet de 50) (fara TVA)
€ 0,393
Buc. (Intr-un pachet de 50) (cu TVA)
50
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 0,33 | € 16,50 |
| 250 - 450 | € 0,22 | € 11,00 |
| 500 - 1200 | € 0,19 | € 9,50 |
| 1250 - 2450 | € 0,14 | € 7,00 |
| 2500+ | € 0,11 | € 5,50 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5.9 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
41 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
13.4 nC @ 10 V
Latime
1.4mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
1.02mm
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse