N-Channel MOSFET, 2.6 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 Vishay SI2302DDS-T1-GE3
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
75 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.85V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
0.71 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Latime
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.5 nC @ 4.5 V
Inaltime
1.02mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 0,19
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 0,226
Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
€ 0,19
Buc. (Pe o rola de 3000) (fara TVA)
€ 0,226
Buc. (Pe o rola de 3000) (cu TVA)
3000
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,19 | € 570,00 |
| 6000+ | € 0,17 | € 510,00 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Tip pachet
SOT-23
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
75 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.85V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
0.71 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±8 V
Latime
1.4mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
3.5 nC @ 4.5 V
Inaltime
1.02mm
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse