Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.4 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Tip pachet
IPAK (TO-251)
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Latime
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 (Maximumn) nC
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
2.39mm
Informatii despre stoc temporar indisponibile.
Incercati din nou mai tarziu
€ 1,22
Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 1,452
Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
10
€ 1,22
Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)
€ 1,452
Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)
10
Cumpara in pachete mari
Cantitate | Pret unitar | Per Pachet |
---|---|---|
10 - 90 | € 1,22 | € 12,20 |
100 - 240 | € 1,11 | € 11,10 |
250 - 490 | € 0,99 | € 9,90 |
500 - 990 | € 0,92 | € 9,20 |
1000+ | € 0,86 | € 8,60 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.4 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Tip pachet
IPAK (TO-251)
Timp montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
3 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
2.5 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Latime
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 (Maximumn) nC
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
2.39mm