N-Channel MOSFET, 2.4 A, 500 V, 3-Pin IPAK Vishay IRFU420PBF

Nr. stoc RS: 152-6352Producator: VishayCod de producator: IRFU420PBF
brand-logo

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.4 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Tip pachet

IPAK (TO-251)

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Latime

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

19 (Maximumn) nC

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

2.39mm

Informatii despre stoc temporar indisponibile.

Incercati din nou mai tarziu

Informatii despre stoc temporar indisponibile.

€ 1,22

Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 1,452

Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 2.4 A, 500 V, 3-Pin IPAK Vishay IRFU420PBF
Selectati tipul de ambalaj

€ 1,22

Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 1,452

Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

N-Channel MOSFET, 2.4 A, 500 V, 3-Pin IPAK Vishay IRFU420PBF
Informatii despre stoc temporar indisponibile.
Selectati tipul de ambalaj

Cumpara in pachete mari

CantitatePret unitarPer Pachet
10 - 90€ 1,22€ 12,20
100 - 240€ 1,11€ 11,10
250 - 490€ 0,99€ 9,90
500 - 990€ 0,92€ 9,20
1000+€ 0,86€ 8,60

Idei. creează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

2.4 A

Maximum Drain Source Voltage

500 V

Tip pachet

IPAK (TO-251)

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4V

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Latime

6.22mm

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

19 (Maximumn) nC

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Inaltime

2.39mm