Vishay P-Channel MOSFET, 2.7 A, 250 V, 3-Pin DPAK IRFR9214TRPBF

Nr. stoc RS: 812-0650Producator: VishayCod de producator: IRFR9214TRPBF
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

2.7 A

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

50 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

6.22mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

14 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

2.38mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 9,60

€ 0,96 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 11,62

€ 1,162 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Vishay P-Channel MOSFET, 2.7 A, 250 V, 3-Pin DPAK IRFR9214TRPBF
Selectati tipul de ambalaj

€ 9,60

€ 0,96 Buc. (Intr-un pachet de 10) (fara TVA)

€ 11,62

€ 1,162 Buc. (Intr-un pachet de 10) (cu TVA)

Vishay P-Channel MOSFET, 2.7 A, 250 V, 3-Pin DPAK IRFR9214TRPBF

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
10 - 90€ 0,96€ 9,60
100 - 240€ 0,91€ 9,10
250 - 490€ 0,80€ 8,00
500 - 990€ 0,75€ 7,50
1000+€ 0,63€ 6,30

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

2.7 A

Maximum Drain Source Voltage

250 V

Tip pachet

DPAK (TO-252)

Timp montare

Surface Mount

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

3 Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

50 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Latime

6.22mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Lungime

6.73mm

Typical Gate Charge @ Vgs

14 nC @ 10 V

Temperatura maxima de lucru

+150 °C

Inaltime

2.38mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Detalii produs

P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe