N-Channel MOSFET, 5 A, 500 V, 3-Pin DPAK Vishay IRFR430ATRPBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Latime
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
2.38mm
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
P.O.A.
2000
P.O.A.
2000
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Tip pachet
DPAK (TO-252)
Montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.7 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Transistor Material
Si
Lungime
6.73mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Latime
6.22mm
Number of Elements per Chip
1
Frecventa minima de auto-rezonanta
-55 °C
Inaltime
2.38mm
Tara de origine
Malaysia
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse