Vishay N-Channel MOSFET, 960 mA, 200 V, 3-Pin SOT-223 IRFL210TRPBF
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
960 mA
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
SOT-223
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
3.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.7mm
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Inaltime
1.8mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
€ 43,00
€ 0,43 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 52,03
€ 0,52 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Impachetare pentru productie (Rola)
100
€ 43,00
€ 0,43 Buc. (Livrat pe rola) (fara TVA)
€ 52,03
€ 0,52 Buc. (Livrat pe rola) (cu TVA)
Informatii despre stoc temporar indisponibile
Impachetare pentru productie (Rola)
100
Informatii despre stoc temporar indisponibile
| Cantitate | Pret unitar | Per Rola |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,43 | € 4,30 |
| 250 - 490 | € 0,38 | € 3,80 |
| 500 - 990 | € 0,35 | € 3,50 |
| 1000+ | € 0,29 | € 2,90 |
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
960 mA
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Tip pachet
SOT-223
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.1 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Latime
3.7mm
Typical Gate Charge @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
6.7mm
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Inaltime
1.8mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Inspiră. Proiectează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse