Vishay N-Channel MOSFET, 14 A, 60 V, 3-Pin TO-220FP IRFIZ24GPBF

Nr. stoc RS: 708-4787Producator: VishayCod de producator: IRFIZ24GPBF
brand-logo

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

14 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

TO-220FP

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

100 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

37 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 10 V

Inaltime

9.8mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

€ 10,85

€ 2,17 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 13,13

€ 2,626 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Vishay N-Channel MOSFET, 14 A, 60 V, 3-Pin TO-220FP IRFIZ24GPBF
Selectati tipul de ambalaj

€ 10,85

€ 2,17 Buc. (Intr-un pachet de 5) (fara TVA)

€ 13,13

€ 2,626 Buc. (Intr-un pachet de 5) (cu TVA)

Vishay N-Channel MOSFET, 14 A, 60 V, 3-Pin TO-220FP IRFIZ24GPBF

Informatii despre stoc temporar indisponibile

Selectati tipul de ambalaj

Informatii despre stoc temporar indisponibile

CantitatePret unitarPer Pachet
5 - 45€ 2,17€ 10,85
50 - 120€ 2,03€ 10,15
125 - 245€ 1,81€ 9,05
250 - 495€ 1,69€ 8,45
500+€ 1,57€ 7,85

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe

Documente tehnice (Imaginile sunt cu titlu informativ. Va rugam sa consultati specificatiile tehnice.)

Specificatii

Marca

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

14 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Tip pachet

TO-220FP

Timp montare

Through Hole

Numar pini

3

Maximum Drain Source Resistance

100 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

2V

Maximum Power Dissipation

37 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Temperatura maxima de lucru

+175 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

25 nC @ 10 V

Inaltime

9.8mm

Temperatura minima de lucru

-55 °C

Tara de origine

China

Detalii produs

N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Inspiră. Proiectează. Colaborează

ÎNSCRIE-TE GRATIS

Fara taxe ascunse!

design-spark
design-spark
  • Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
  • Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
  • Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Click aici pentru a afla mai multe