P-Channel MOSFET, 12 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Vishay IRF9530SPBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Transistor Material
Si
Lungime
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 10 V
Latime
9.02mm
Inaltime
4.83mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 2,31
Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 2,749
Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
€ 2,31
Each (In a Tube of 50) (fara TVA)
€ 2,749
Each (In a Tube of 50) (cu TVA)
50
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar | Per Tub |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,31 | € 115,50 |
| 100 - 200 | € 1,91 | € 95,50 |
| 250+ | € 1,79 | € 89,50 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Tip pachet
D2PAK (TO-263)
Timp montare
Surface Mount
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
300 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
3.7 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+175 °C
Transistor Material
Si
Lungime
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 10 V
Latime
9.02mm
Inaltime
4.83mm
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Detalii produs
P-Channel MOSFET, 100V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse