N-Channel MOSFET, 8 A, 500 V, 3-Pin TO-220AB Vishay IRF840APBF
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Tip pachet
TO-220AB
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
850 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.41mm
Latime
4.7mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 10 V
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
9.01mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Informatii indisponibile despre stoc
Incercati din nou mai tarziu
€ 2,43
Buc. (fara TVA)
€ 2,89
Buc. (cu TVA)
1
€ 2,43
Buc. (fara TVA)
€ 2,89
Buc. (cu TVA)
1
Cumpara in pachete mari
| Cantitate | Pret unitar |
|---|---|
| 1 - 9 | € 2,43 |
| 10 - 49 | € 2,05 |
| 50 - 99 | € 1,94 |
| 100 - 249 | € 1,81 |
| 250+ | € 1,66 |
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse
Documente tehnice
Specificatii
Marca
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Maximum Drain Source Voltage
500 V
Tip pachet
TO-220AB
Montare
Through Hole
Numar pini
3
Maximum Drain Source Resistance
850 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Number of Elements per Chip
1
Temperatura maxima de lucru
+150 °C
Lungime
10.41mm
Latime
4.7mm
Transistor Material
Si
Typical Gate Charge @ Vgs
38 nC @ 10 V
Temperatura minima de lucru
-55 °C
Inaltime
9.01mm
Tara de origine
China
Detalii produs
N-Channel MOSFET, 500V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Idei. creează. Colaborează
ÎNSCRIE-TE GRATIS
Fara taxe ascunse!
- Descărcați și utilizați software-ul nostru DesignSpark pentru modelele dumneavoastră PCB și mecanice 3D
- Vizualizați și contribuiți cu conținutul site-ului web și forumuri
- Descărcați modele 3D, scheme și amprente de la peste un milion de produse